模塊

所有分類下結(jié)果

富士IGBT模塊2MBI300U2B-060 2MBI600U2E-060 2MBI200N-060

[中介]N系列和U2系列（高速，低導(dǎo)通壓降）

18016583065蔡先生

福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-12-17 09:18:20

[全國可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技

[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)的第6代IGBT 寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性最優(yōu)的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能硅片最高結(jié)溫可達(dá)175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環(huán)能力（DTc）內(nèi)部硅片分布均勻，Rth(j-

18016583065蔡先生

福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-12-17 09:18:19

[全國可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A

[中介]采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術(shù)有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)內(nèi)部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強(qiáng)具有競爭力的性價比有條件接受客戶定制

18016583065蔡先生

福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-12-17 09:18:19

[全國可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL

[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù) LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調(diào)整底板和

18016583065蔡先生

福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-12-17 09:18:18

[全國可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市

三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34

[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊

18016583065蔡先生

福建安溪燦宏電子科技有限公司電子模塊2025-12-17 09:18:16

[全國可控硅(晶閘管)] 福建/泉州福建省泉州市