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所有分類下結果三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區，杰出的短路魯棒性 最優的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環能力（DTc）內部硅片分布均勻，Rth(j-
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三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
[中介]采用最優化CSTBTTM硅片技術有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結構內部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺耐功率循環和熱循環能力強具有競爭力的性價比有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯使用額定電流定義比市場上同類產品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調整底板和
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西門康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
[中介]
產 品 型 號 參 數 說 明
SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V
SKM200GB176D 2單元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元，400A
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西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
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西門康IGBT模塊5STP06D2800 5STP45N2800 5STP16F2801 5STP29
[中介]ABB普通晶閘管
-獲準專利的硅滑動式結構
-應用于大功率的工業生產和電氣傳動領域
-很低的同態壓降
-選擇合適的Qrr和Vt的器件匹配，可串聯或并聯使用
優點：
應用于大功率的工業生產和電氣傳動領域
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英飛凌IGBT模塊FZ800R12KE3 FZ400R17KE3 FF200R12KE3 FF300R
[中介]E3系列 低導通壓降系列 頻率1~10KHZ
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英飛凌IGBT模塊FF300R12KE4 FF450R12KE4 FF225R12ME4 FF600
[中介]頻率1-12K(Tj=175℃ 電流在Tc=100℃標稱)
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英飛凌IGBT模塊FF450R12KT4 FF300R12KT4 FF150R12RT4 FP35R
[中介]FS75R12KT4 6單元，75A/1200V
FP25R12KT4 7單元，25A/1200V
FP35R12KT4 7單元，35A/1200V
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