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所有分類下結果三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區，杰出的短路魯棒性 最優的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環能力（DTc）內部硅片分布均勻，Rth(j-
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三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯使用額定電流定義比市場上同類產品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調整底板和
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三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技術，實現開關速度控制的最優化飽和壓降低于業界同類產品續流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流開關頻率可達30kHz 模塊內部寄生電感低
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三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技術，實現開關速度控制的最優化
飽和壓降低于業界同類產品
續流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流
開關頻率可達60kHz
模塊內部寄生電感低
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西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
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西門康IGBT模塊5STP03X6500 5STP50Q1800 5STP27H1800 5STP12
[中介]工作范圍：350~6100A，1600~8500V
可控硅應用領域 ：
無功補償、勵磁、高壓軟起動、整流器、工業傳動設備、高壓變頻調速直流輸電、
充磁機、可控硅整流電源、感應加熱（電爐）、高電壓化學、斬波器
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英飛凌IGBT模塊FZ800R12KE3 FZ400R17KE3 FF200R12KE3 FF300R
[中介]E3系列 低導通壓降系列 頻率1~10KHZ
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英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DN2 BSM200GA170DN2 BSM150GB120DN2
[中介]DN2標準系列
頻率10~20KHZ
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西門康IGBT模塊SKM50GAL12T4 SKM100GAL12T4 SKM150GAR12T4 S
[中介]IGBT模塊 T4系列
頻率5~20KHZ
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