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場效應分類使用注意事項及檢測方法：MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此出廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。

管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，并采取相應的防靜電感措施。測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。

交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉。

雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管，平時就不需要把各管腳短路了。對于其它相關認識，我不做細說，只要大家能認識就行了。

投資要點

5G商用進程積極推進，各玩家加速布局。我國積極開展5G技術研發(fā)，已先后解決了關鍵技術驗證與技術方案驗證，預計今年9月發(fā)布系統(tǒng)方案驗證測試結果，不久后將進行5G產(chǎn)品研發(fā)試驗。3大運營商開展5G技術測試與研發(fā)，積極開始5G試點。隨著政府陸續(xù)出臺一系列政策推進5G發(fā)展以及國際5G標準化進程的加速，我們認為5G發(fā)展進程將提速，5G建設有望提前開啟。