大功率雪崩耐量測試系統(tǒng) 

概述: 系統(tǒng)概述: 半導體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應用最為廣泛的基礎元件,其性能表現(xiàn)對整個電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能 夠承受電路中的電
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系統(tǒng)概述:

      半導體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應用最為廣泛的基礎元件,其性能表現(xiàn)對整個電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能 夠承受電路中的電流,滿足一定的雪崩耐量。
      雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時,電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減,此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓 時的抗擊穿能力。電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,通常的情況下,功率器件都會降額,從而留有足夠的電壓余量。但是,一些電源在輸 出短路時,初級中會產(chǎn)生較大的電流,加上初級電感,器件就會有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些 電機的負載是感性負載,而啟動和堵轉過程中會產(chǎn)生極大的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。 
      該測試系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達 2000J。測試的電壓和電 流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機,計算機經(jīng)過處理后,將測試數(shù)據(jù)以 EXCEL 表格形式顯示并進行最終 的編輯和打印,同時可觀測雪崩波形。設備可滿足各種封裝形式的功率模塊測試需求,并預留電壓電流擴展功能。

功能指標:

配置

測試范圍

測試參數(shù)

條件

范圍

電壓
1000V

IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V~4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V 
1000V~4500V±3%±10V

電流
200A

MOSFETs
MOS場效應管

EAR/重復脈沖雪崩能量

Ic

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA 
2A~200A±3%±50mA


DIODEs
二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J 
500J~2000J±3%±10J



PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A(取決于傳感器




感性負載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、




重復間隙時間

1~60s可調(步進1s) 重復次數(shù):1~50次



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