原生多晶及硅芯型號(hào)測(cè)試儀
概述:[中介]HS-PSTT原生多晶及硅芯型號(hào)測(cè)試儀是一款高端半導(dǎo)體材料型號(hào)測(cè)試儀器,具有大量程測(cè)試范圍的特點(diǎn),尤其適用于西門子法原生硅料生產(chǎn)企業(yè)的高阻硅料(含硅芯、檢磷棒、檢硼棒等)以及各種低阻硅料型號(hào)測(cè)量,型
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肖宗鏞
 
產(chǎn)品介紹:
HS-PSTT原生多晶及硅芯型號(hào)測(cè)試儀是一款高端半導(dǎo)體材料型號(hào)測(cè)試儀器,具有大量程測(cè)試范圍的特點(diǎn),尤其適用于西門子法原生硅料生產(chǎn)企業(yè)的高阻硅料(含硅芯、檢磷棒、檢硼棒等)以及各種低阻硅料型號(hào)測(cè)量,型號(hào)電阻率測(cè)量范圍為0.0001~19999Ω·cm,涵蓋了目前半導(dǎo)體及太陽(yáng)能級(jí)硅料生產(chǎn)企業(yè)的各種硅料的型號(hào)測(cè)量要求。
                         
產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 適用于西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)
■ 適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
■ 適用于光伏拉晶鑄錠及IC半導(dǎo)體器件企業(yè)
■ 適用于科研部門、高等院校及需要超大量程測(cè)量硅鍺型號(hào)的企業(yè)
■ 測(cè)量范圍廣,硅型號(hào)電阻率測(cè)量范圍為0.0001~19999Ω·cm
■ 可判別鍺型號(hào),電阻率范圍為10~103Ω·cm
■ 可判別從高阻單晶到重?fù)絾尉缀跛蟹潜菊靼雽?dǎo)體材料型號(hào)
■ 儀表指針和液晶數(shù)字兩種顯示有機(jī)結(jié)合,保證型號(hào)檢測(cè)萬(wàn)無一失
■ 具有靈敏度表設(shè)置,保證高阻硅材料型號(hào)的準(zhǔn)確測(cè)量
■ 綜合了熱電法和整流法兩種測(cè)試型號(hào)的方法,是半導(dǎo)體材料型號(hào)測(cè)量的萬(wàn)用表
■ 冷熱筆和三探針經(jīng)久耐用,極大降低測(cè)試成本
■ 具有穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)
■ 采用進(jìn)口元器件,留有更大的安全系數(shù),大大提高了測(cè)試儀的可靠性和使用壽命
■ 具有抗強(qiáng)磁場(chǎng)和抗高頻設(shè)備的性能
推薦工作條件
■ 溫度:23±2℃
■ 濕度:≤65%
■無較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾,電源隔離濾波,無強(qiáng)光直接照射 
技術(shù)指標(biāo)
■ 可判別硅型號(hào)電阻率范圍:10-4~104Ω·cm
■ 可判別鍺型號(hào)電阻率范圍:10~103Ω·cm
■ 鍺、硅單晶直徑及長(zhǎng)度:不受限制
■ 電源:AC 220V±10%,50HZ
■ 功耗:最大功耗≤40W,平均功耗≈10W[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]
產(chǎn)品介紹:
HS-PSTT原生多晶及硅芯型號(hào)測(cè)試儀是一款高端半導(dǎo)體材料型號(hào)測(cè)試儀器,具有大量程測(cè)試范圍的特點(diǎn),尤其適用于西門子法原生硅料生產(chǎn)企業(yè)的高阻硅料(含硅芯、檢磷棒、檢硼棒等)以及各種低阻硅料型號(hào)測(cè)量,型號(hào)電阻率測(cè)量范圍為0.0001~19999Ω·cm,涵蓋了目前半導(dǎo)體及太陽(yáng)能級(jí)硅料生產(chǎn)企業(yè)的各種硅料的型號(hào)測(cè)量要求。
                         
產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 適用于西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)
■ 適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
■ 適用于光伏拉晶鑄錠及IC半導(dǎo)體器件企業(yè)
■ 適用于科研部門、高等院校及需要超大量程測(cè)量硅鍺型號(hào)的企業(yè)
■ 測(cè)量范圍廣,硅型號(hào)電阻率測(cè)量范圍為0.0001~19999Ω·cm
■ 可判別鍺型號(hào),電阻率范圍為10~103Ω·cm
■ 可判別從高阻單晶到重?fù)絾尉缀跛蟹潜菊靼雽?dǎo)體材料型號(hào)
■ 儀表指針和液晶數(shù)字兩種顯示有機(jī)結(jié)合,保證型號(hào)檢測(cè)萬(wàn)無一失
■ 具有靈敏度表設(shè)置,保證高阻硅材料型號(hào)的準(zhǔn)確測(cè)量
■ 綜合了熱電法和整流法兩種測(cè)試型號(hào)的方法,是半導(dǎo)體材料型號(hào)測(cè)量的萬(wàn)用表
■ 冷熱筆和三探針經(jīng)久耐用,極大降低測(cè)試成本
■ 具有穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)
■ 采用進(jìn)口元器件,留有更大的安全系數(shù),大大提高了測(cè)試儀的可靠性和使用壽命
■ 具有抗強(qiáng)磁場(chǎng)和抗高頻設(shè)備的性能
推薦工作條件
■ 溫度:23±2℃
■ 濕度:≤65%
■無較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾,電源隔離濾波,無強(qiáng)光直接照射 
技術(shù)指標(biāo)
■ 可判別硅型號(hào)電阻率范圍:10-4~104Ω·cm
■ 可判別鍺型號(hào)電阻率范圍:10~103Ω·cm
■ 鍺、硅單晶直徑及長(zhǎng)度:不受限制
■ 電源:AC 220V±10%,50HZ
■ 功耗:最大功耗≤40W,平均功耗≈10W[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]

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